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本文是学习GB-T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们

1 范围

本标准规定了直径300 mm、p 型、\<100>晶向、电阻率0.5Ω ·cm~20Ω ·cm
的硅单晶切割片和

磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。

本标准适用于直径300 mm
直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片,

用于制作集成电路 IC 用线宽90 nm 技术需求的衬底片。

2 规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法

GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法

GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样计划

GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测试方法

GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X 射线测量方法

GB/T 14140 硅片直径测量方法

GB/T 14264 半导体材料术语

GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法

GB/T 29504 300 mm 硅单晶

GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法

YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法

SEMI MF 1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法

3 术语和定义

GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。

4 技术要求

4.1 物理性能参数

硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、间隙氧含量、代位碳含量应符合GB/T
29504 的规定。

GB/T 29508—2013

4.2 几何参数

硅片的几何参数应符合表1的规定。硅片所有在表1中未列出的参数规格,按供需双方协商提供。

用户有特殊要求的,由供需双方协商提供。

1 硅片几何参数要求

项 目

指标

切制 片

硅片直径/mm

301

直径允许偏差/mm

±0.3

硅片厚度(中心点)/μm

910

厚度允许偏差/μm

±15

总厚度变化/μm ≤

20

翘曲度/μm ≤

50

崩边/mm ≤

0.8

切口

磨 削 片

硅片直径/mm

300

直径允许偏差/mm

±0.2

硅片厚度(中心点)/μm

820

厚度允许偏差/μm

±15

总厚度变化/μm ≤

1.2

翘曲度/μm ≤

45

崩边

4.3 晶体完整性

硅片的晶体完整性应符合 GB/T 29504 的规定。

4.4 表面取向

4.4.1 硅片的表面取向为\<100>。

4.4.2 硅片表面取向偏离不大于0.5°。

4.5 基准标记

直径300 mm 硅片切口的基准轴取向及尺寸应符合表2要求。

2 硅片切口的要求

项 目

指标

切口基准轴取向及偏差

<110>±1°

深度/mm

1.00+%:

角度/(°)

909

GB/T 29508—2013

4.6 表面质量

4.6.1
硅切割片崩边的径向延伸长度应符合表1的规定。每个崩边的周长不大于2 mm,
每片崩边总 数不能多于3个,每批硅片中崩边硅片数不得超过总片数的3%。

4.6.2 硅片不允许有裂纹、缺口。

4.6.3 硅片经清洗干燥后,表面应洁净、无色斑、无沾污。

4.6.4 硅切割片不得有明显切割刀痕。

4.6.5 硅磨削片表面应无划伤、亮点、刀痕、崩边。

4.7 边缘轮廓

硅片经边缘倒角,倒角后的边缘轮廓应符合 YS/T 26 和 GB/T 26067
的规定,特殊要求可由供需

双方协商确定。

5 试验方法

5.1 硅片导电类型测量按 GB/T 1550 进行。

5.2 硅片电阻率测量按GB/T 1551或 GB/T 6616 进行。

5.3 硅片径向电阻率变化测量按GB/T11073 进行。

5.4 硅片间隙氧含量测量按GB/T 1557进行。

5.5 硅片代位碳含量测量按GB/T 1558进行。

5.6 硅片直径测量按GB/T14140 进行。

5.7 硅片厚度、总厚度变化及平整度测量按 GB/T 29507进行。

5.8 硅片翘曲度测量按 SEMI MF 1390进行。

5.9 硅片晶体完整性检验按GB/T 1554 进行。

5.10 硅片表面取向测量按 GB/T 1555 进行。

5.11 硅片切口尺寸的测量按 GB/T 26067进行。

5.12 硅片切口基准轴取向测量按 GB/T 13388进行。

5.13 硅片表面质量检验按GB/T 6624 进行。

5.14 硅片的边缘轮廓检验按 YS/T 26 进行。

6 检验规则

6.1 检查和验收

6.1.1
产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质
量保证书。

6.1.2
需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不
符时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决。

6.2 组批

硅片以批的形式提交验收,每批应由按照用户要求的同一规格的硅片组成。

6.3 检验项目

每批硅片抽检的项目有:导电类型、晶向及其偏离度、电阻率及径向电阻率变化、厚度和总厚度变

化、翘曲度、表面质量、直径、切口基准轴取向及切口尺寸、边缘轮廓、晶体完整性等。

GB/T 29508—2013

6.4 抽样

6.4.1 对于非破坏性检测项目,抽样按GB/T 2828.1
一般检验水平Ⅱ,正常检验一次抽样方案进行,

或由供需双方协商确定的抽样方案进行。

6.4.2 对于破坏性检测项目,抽样按 GB/T 2828.1
特殊检验水平S-2,正常检验一次抽样方案,或按供

需双方协商确定的抽样方案进行。

6.5 检验结果的判定

6.5.1 导电类型、晶向检验若有一片不合格,则该批产品为不合格。

6.5.2 其他检验项目可以按照6.4抽检,其接收质量限(AQL)
值见表3。也可进行全数检验,或按供 需双方协商的方法进行。

3 硅片检验项目及接收质量限

序 号

检验项目

接收质量限(AQL)

1

电阻率

1.0

2

径向电阻率变化

1.0

3

间隙氧含量

1.0

4

代位碳含量

1.0

5

直径

1.0

6

厚度

1.0

7

总厚度变化

1.0

8

翘曲度

1.0

9

切口基准轴取向

1.0

10

切口尺寸

1.0

11

边缘轮廓

2.5

12

表面质量

崩边

1.0

沾污

1.5

划伤、亮点

2.0

裂纹、缺口

1.0

刀痕

1.0

色斑

1.0

累计

2.5

7 标志、包装、运输和贮存

7.1
硅片用相应规格的盒子包装,每个片盒应贴有产品标签。标签内容至少应包括:

a) 产品名称(牌号);

b) 产品规格、片数;

c) 产品批号;

d) 出厂日期。

GB/T 29508—2013

7.2
片盒装入一定规格的外包装箱,采取防震、防潮、防污染措施。包装箱内应有装箱单,外侧应有“小
心轻放”、"防潮"、"易碎"等标识,并标明:

a) 需方名称、地点;

b) 产品名称、牌号;

c) 产品件数;

d) 供方名称。

7.3 产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震、防潮措施。

7.4 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。

8 质量证明书

每批产品应有质量证明书,其内容应包括:

a) 供方名称;

b) 产品名称及规格、牌号;

c) 产品批号;

d) 产品片数(盒数);

e) 各项参数检验结果和检验部门的印记;

f) 出厂日期。

延伸阅读

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